全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關性能，助力Murata Power Solutions的AI服務器5.5kW輸出電源單元實現(xiàn)小型化和高效率工作。預計該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)。

近年來，隨著AI（人工智能）和AR（增強現(xiàn)實）等在IoT領域的發(fā)展，數(shù)據(jù)通信量在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)持續(xù)增加趨勢。其中，據(jù)說使用AI進行一次查詢所消耗的電量比普通的網(wǎng)頁搜索要高數(shù)倍，這就迫切需要為處理這些查詢的高速運算設備等供電的AI服務器電源進一步提高效率。另一方面，具有低導通電阻和高速開關特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。

Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：

“很高興通過使用羅姆的GaN HEMT，使我們能夠設計出具有更高效率和更高功率密度的AI服務器電源單元。利用GaN HEMT的高速開關工作、低寄生電容以及零反向恢復特性，可將對開關損耗的影響控制到最小，還可提高開關轉(zhuǎn)換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競爭力，且可靠性也很高，用在我們的AI服務器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來，我們將通過繼續(xù)與在功率半導體領域優(yōu)勢顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會課題貢獻力量。”

羅姆 LSI事業(yè)本部 Power Stage產(chǎn)品開發(fā)部 部長 山口雄平表示：

“羅姆的EcoGaN?能夠被電源領域的全球領導者Murata Power Solutions的AI服務器電源單元采用，深感榮幸。這次采用的GaN HEMT具有行業(yè)先進的開關性能，而且使用的是散熱性優(yōu)異的TOLL封裝，有助于Murata Power Solutions的電源單元實現(xiàn)更高功率密度和更高效率。另外，在“通過電子產(chǎn)品為社會做貢獻”方面，Murata Power Solutions與羅姆的經(jīng)營愿景一致，我們希望未來也繼續(xù)與村田制作所合作，雙方共同促進電源的小型化和效率提升，并為人們豐富多彩的生活貢獻力量。

關于Murata Power Solutions的AI服務器電源單元

Murata Power Solutions的AC-DC電源“1U前端”系列包括高功率密度Short Version的M-CRPS封裝3.2kW電源“D1U T-W-3200-12-HB4C”（輸出12V版）和“D1U T-W-3200-54-HB4C”（輸出54V版） ，另外還新增了AI服務器用的5.5kW“D1U67T-W-5500-50-HB4C”等產(chǎn)品。Murata Power Solutions的前端電源的轉(zhuǎn)換效率很高，可以滿足80 Plus Titanium和開放計算產(chǎn)品的最嚴格要求；還支持N+M冗余工作，可提高系統(tǒng)的可靠性，因此也適合為最新的GPU服務器供電。不僅能夠為服務器、工作站、存儲系統(tǒng)和通信系統(tǒng)提供可靠性高且效率高的電力，而且其低矮的1U尺寸還有助于削減系統(tǒng)面積。

關于羅姆的EcoGaN?

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化的羅姆GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。